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2007.09.16

米国司法省反トラスト局の捜査

司法省(米国)が半導体事業の価格操作をめぐる捜査の一環として

  フラッシュメモリー
   (電気的に一括消去・再書き込み可能なメモリー)

メーカー各社に対する刑事捜査に乗り出したことが14日明らかになった。

 捜査対象には東芝、ルネサステクノロジ、韓国のサムスン電子などが含まれる。

 ジーナ・タラモナ報道官(司法省)は

  司法省反トラスト局

はフラッシュメモリー業界の反競争的な慣行の可能性を調べていると述べた。
 司法省は3年余りにわたり、DRAM(記憶保持動作が必要な随時書き込み・読み出しメモリー)メーカーへの刑事捜査を行い、4社と13人を起訴し、合わせて7億3100万ドル(約840億円)の罰金を科した。

 昨年10月には、SRAM(記憶保持動作を必要としない随時書き込み・読み出しメモリー)の価格操作に関する捜査を開始している。

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